Laser-µ-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen
Science for Systems, Band 14
Rüdiger Moser
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2013, 192 S., zahlr. meist farb. Abb., Softcover
Freiburg, Univ., Diss., 2013
Fraunhofer Verlag
ISBN 978-3-8396-0600-1

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Inhalt
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Laserbearbeitung an GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) mit ultrakurzen Pulsen im ultravioletten Spektralbereich. Seit einigen Jahren sind Lasersysteme verfügbar, die Pulse im Pikosekundenbereich emittieren und aufgrund ihrer hohen Pulsenergie, Repetitionsrate und Zuverlässigkeit eine rasante Verbreitung im industriellen Umfeld erfahren. Durch die kurze Pulsdauer ergeben sich prinzipiell zwei Vorteile: Die thermische Schädigung des Materials ist deutlich geringer, wodurch die Präzision gesteigert werden kann. Zusätzlich kann durch die nichtlineare Wechselwirkung der intensiven Laserstrahlung mit der Materie annähernd jedes Material, auch transparente Medien, bearbeitet werden.
Die Arbeit behandelt sowohl die Planung und den Aufbau einer Laser-µ-Bearbeitungsanlage, als auch die Entwicklung von Laserbearbeitungsverfahren zur Realisierung GaN-basierter LEDs, ohne dabei auf konventionelle Lithographie und trockenchemische Ätzverfahren zurückzugreifen. Da es sich bei der Laserbearbeitung um ein direktgeschriebenes Verfahren handelt, eignet sich diese Methode besonders gut für die Prototypenentwicklung und die Herstellung kundenspezifischer Formen.

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